Le processus Damascène en cuivre et le polissage chimico-mécanique (CMP) dans les puces IC 3D avancées par Dr. Imran Khan
La séquence de processus utilisée par l'industrie des semi-conducteurs pour fabriquer des interconnexions en Cu s'appelle le processus « dual-damascene ». Dans ce processus, des caractéristiques à l'échelle nanométrique, y compris des vias et des tranchées, sont d'abord gravées dans une couche diélectrique (généralement du SiO2 poreux), suivies du dépôt d'une couche barrière de diffusion de 2 à 3 nm d'épaisseur. Le nitrure de tantale (TaN) déposé par pulvérisation est couramment utilisé comme barrière de diffusion du Cu. Une fine couche de graine en Cu est ensuite pulvérisée, suivie d'un électroplaquage en Cu par voie électrolytique pour obtenir une métallisation sans vide de motifs nanométriques complexes. Enfin, l'excès de Cu plaqué dans les régions de champ est poli à l'aide du polissage chimico-mécanique (CMP).