El Proceso Damasceno de Cobre y el Pulido Químico Mecánico (CMP) en Chips IC 3D Avanzados Por el Dr. Imran Khan
La secuencia de procesos utilizada por la industria de semiconductores para fabricar interconexiones de Cu se llama proceso “dual-damasceno”. En este proceso, se graban primero características a nanoescala, incluyendo vías y surcos, en una capa dieléctrica (típicamente SiO2 poroso), seguido de la deposición de una capa de barrera de difusión de 2 a 3 nm de grosor. El nitruro de tantalio (TaN) depositado por sputtering se utiliza convencionalmente como barrera de difusión de Cu. Luego se deposita una delgada capa semilla de Cu mediante sputtering, seguida de un electrochapado de Cu de abajo hacia arriba para lograr una metalización libre de vacíos de patrones nano complejos. Finalmente, el exceso de Cu depositado en las regiones de campo se pule utilizando pulido químico mecánico (CMP).